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    二次離子質譜儀原理的基本特征介紹

    發布時間:2022-07-19瀏覽:73次

       二次離子質譜儀是利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子的質譜儀。主要包括一次離子源、進樣室、質量分析儀、真空系統、數據處理系統等部分,絕緣樣品還配有電荷補償電子中和槍,根據分析目的不同,還有不同的離子源,如氣體放源(O,Ar,Xe),表面電離源(如Cs),熱隙源如C60,以及液態金屬和團簇源(Bin,Aun,Ga)等。二次離子質譜儀原理的基本特征如下:

     
      1.它的信息深度很?。ū?nm還?。?;能夠對材料的Z外層(原子層)的結構進行分析。
     
      2.空間分辨率非常的高和樣品表面結構(小于50nm)比較清晰。
     
      3.能夠檢測質量的范圍包括原子量單位低于12,000的所有材料,包括H和He等元素。
     
      4.分子離子峰和官能團碎片峰能夠同時給出;能夠對化合物和有機大分子的整體結構方便地進行分析。
     
      5.雙束離子源可用于深度解析度小于1nm的樣品。
     
      6.使樣品Z表層的1-3個原子的信息深度獲得;
     
      7.能夠檢測同位素進行同位素分析;
     
      8.達到PPM-PPB水平的檢測極限。
     
      9.能夠對所有元素和化合物同時檢測,離子轉移率能夠達到100%。
     
      10.使用GX的電子中和槍能夠對絕緣材料進行準確分析。

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